FDB8453LZ

onsemi

FDB8453LZ

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 17.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3545 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16.1A (Ta), 50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 66W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)