FDB6670AS

onsemi

FDB6670AS

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 31A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность62.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)