FDB1D7N10CL7

onsemi

FDB1D7N10CL7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK

В производствеTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.65mOhm @ 100A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11600 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 700µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C268A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)