FDB0260N1007L

onsemi

FDB0260N1007L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

В производствеTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8545 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 250W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Корпус производителяTO-263-7

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)