FDB024N06

onsemi

FDB024N06

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Снят с производстваTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14885 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность395W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)