FDB024N04AL7

onsemi

FDB024N04AL7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

УстаревшийTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность214W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Корпус производителяTO-263-7

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)