FCPF11N65

onsemi

FCPF11N65

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
Базовый Part NumberFCPF11
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1490 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияSuperFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность36W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220F-3