FCMT299N60

onsemi

FCMT299N60

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

В производстве4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs299mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1948 pF @ 380 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperFET® II
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность125W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителяPower88

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)