FCMT080N65S3

onsemi

FCMT080N65S3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN

Снят с производства4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2765 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииNot For New Designs
СерияSuperFET® III
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 880µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность260W (Tc)

Механические

Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителя4-TDFN (8x8)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)