FCD600N65S3R0

onsemi

FCD600N65S3R0

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

Снят с производстваTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds465 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияSuperFET® III
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 600µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность54W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяD-PAK (TO-252)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)