Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - FETs, MOSFETs - Массивы/EFC6612R-TF
EFC6612R-TF

onsemi

EFC6612R-TF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP

Снят с производства6-SMD, No LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEFC6612
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Power - Max2.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, No Lead
Корпус производителя6-CSP (1.77x3.54)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству EFC6612R-TF, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.