EFC6605R-V-TR

onsemi

EFC6605R-V-TR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

В производстве6-SMD, No LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.3mOhm @ 3A, 4.5V
Базовый Part NumberEFC6605
Конфигурация2 N-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.8nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Power - Max1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, No Lead
Корпус производителя6-EFCP (1.9x1.46)

Среда

Рабочая температура150°C