Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - FETs, MOSFETs - Массивы/EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR

onsemi

EFC6602R-A-TR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH EFCP2718

В производстве6-XFBGA, FCBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEFC6602
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-XFBGA, FCBGA
Корпус производителяEFCP2718-6CE-020

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству EFC6602R-A-TR, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.