EFC6601R-TR

onsemi

EFC6601R-TR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH EFCP2718

В производстве6-XFBGA, FCBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberEFC6601
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, FCBGA
Корпус производителяEFCP2718-6CE-020

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)