EFC3J018NUZTDG

onsemi

EFC3J018NUZTDG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

В производстве6-XFBGA, WLCSPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Базовый Part NumberEFC3J018
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Power - Max2.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
Корпус производителя6-WLCSP (1.77x3.05)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)