ECH8663R-TL-H

onsemi

ECH8663R-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH

В производстве8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 4A, 4.5V
Базовый Part NumberECH8663
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.3nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)