ECH8657-TL-H

onsemi

ECH8657-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH

В производстве8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberECH8657
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 20V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)