ECH8601M-TL-H

onsemi

ECH8601M-TL-H

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 4A, 4.5V
Базовый Part NumberECH8601
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)