ECH8419-TL-H

onsemi

ECH8419-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток35 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)