ECH8411-TL-E

onsemi

ECH8411-TL-E

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 4A, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1740 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.4W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)