ECH8309-TL-H

onsemi

ECH8309-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1780 pF @ 6 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)