ECH8308-TL-H

onsemi

ECH8308-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH

В производстве8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 6 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.6W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-ECH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)