Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 6 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 12 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.6W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Корпус производителя | 6-CPH |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|