Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | CNY36 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole, Flange |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 5µs, 5µs |
| Sensing Distance | 0.118" (3mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | CNY36 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole, Flange |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 5µs, 5µs |
| Sensing Distance | 0.118" (3mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Slotted, PC Pins |
| Рабочая температура | -55°C~85°C |
|---|