BSS84LT7G

onsemi

BSS84LT7G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 100mA, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36 pF @ 5 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность225mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)