BSS123

onsemi

BSS123

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA
Макс. рассеиваемая мощность350mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)