Общие
| Базовый Part Number | BDV65 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
| Power - Max | 125 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-218-3 |
| Корпус производителя | SOT-93 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|