Общие
| Базовый Part Number | BD809 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | BD809 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
| Power - Max | 90 W |
| Frequency - Transition | 1.5MHz |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|