BD682S

onsemi

BD682S

Аналоговые и силовые компоненты

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10

В производствеTO-225AA, TO-126-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Current - Collector (Ic) (Max)4 A
Current - Collector Cutoff (Max)500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Power - Max14 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
Корпус производителяTO-126-3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)