ATP602-TL-H

onsemi

ATP602-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK

УстаревшийATPAK (2 Leads+Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность70W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Корпус производителяATPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)