ATP218-TL-H

onsemi

ATP218-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

УстаревшийATPAK (2 Leads+Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 50A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность60W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Корпус производителяATPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)