ATP201-TL-H

onsemi

ATP201-TL-H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK

УстаревшийATPAK (2 Leads+Tab)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds985 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность30W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Корпус производителяATPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)