Общие
| Базовый Part Number | 2N4209 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 2N4209 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 850MHz |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|