Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23Ohm @ 40mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.4 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Напряжение сток-исток | 50 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW (Ta) |
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | SC-72 |
| Корпус производителя | 3-SPA |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|