Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 50 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW (Ta) |
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | 3-SIP |
| Корпус производителя | 3-SPA |
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
|---|