2SK536-TB-E

onsemi

2SK536-TB-E

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

УстаревшийTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20Ohm @ 10mA, 10V
Базовый Part Number2SK536
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность200mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителя3-CP

Среда

Рабочая температура125°C(TJ)