Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 2A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 1500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 65W (Tc) |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-3PML |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|