Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 30 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±35V |
| Напряжение сток-исток | 1500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SC-94 |
| Корпус производителя | TO-3PF-3 |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|