2SJ665-DL-E

onsemi

2SJ665-DL-E

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.65W (Ta), 65W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяSMP-FD

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)