2SJ652-RA11

onsemi

2SJ652-RA11

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 28A TO220ML

УстаревшийTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4360 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Ta)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220ML

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)