Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 400mA, 4A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 40 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
Механические
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220AB |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|