Общие
| Базовый Part Number | 2SD1060 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.75 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|