Общие
| Базовый Part Number | 2SD1012 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 50mA, 2V |
| Power - Max | 250 mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SIP |
| Корпус производителя | 3-SPA |
Среда
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
|---|