Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 3mA, 30mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 10V |
| Power - Max | 1.3 W |
| Frequency - Transition | 300MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Корпус производителя | TO-126ML |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|