Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 5mA, 50mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 10V |
| Power - Max | 1.2 W |
| Frequency - Transition | 500MHz |
Механические
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-126 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|