2SB817C

onsemi

2SB817C

Аналоговые и силовые компоненты

PNP SILICON TRANSISTOR

УстаревшийTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 500mA, 5A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140 V
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Power - Max2.5 W
Frequency - Transition10MHz

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P-3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)