2SB1167S

onsemi

2SB1167S

Аналоговые и силовые компоненты

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

В производствеTO-225AA, TO-126-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 150mA, 1.5A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Current - Collector (Ic) (Max)3 A
Current - Collector Cutoff (Max)1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 500mA, 5V
Power - Max1.2 W
Frequency - Transition130MHz

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-225AA, TO-126-3
Корпус производителяTO-126LP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)