Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 3mA, 30mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 900 mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
Механические
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
|---|---|
| Корпус производителя | 3-MP |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|