Общие
| Базовый Part Number | 2N5962 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|