Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|